DRAM 구조와 동작 원리

과정 정보
교육기간 1개월 차시 17H - 초급
교강사 엄중섭 정원 3,000명
교육비 50,490원 진도율 80%이상
환급비 우선지원기업 : 40,896원
대     기     업 : 36,352원
1000명 이상 : 18,176원
수료기준 중간평가 30% 시험 70% (가중평균 60점이상)
강좌소개
DRAM의 구조와 동작 원리를 알아보는 과정
학습대상자
'반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
강좌목표
1. DRAM의 구조를 설명할 수 있다. 2. DRAM의 동작 원리를 설명할 수 있다.
교강사 소개
엄중섭

총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
이혁
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
송복남
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
내용전문가 소개
선우경
- 이화여자대학교 전자공학( 학사졸업 )
총 경력 : 8년 2개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 8 년 2 개월 )
학습목차
  • 1 Memory introduction
  • 2 DRAM Market & fabrication process
  • 3 Basic concept(resistance/voltage)
  • 4 Basic concept(MOS capacitor/transistor)
  • 5 Basic fabrication process
  • 6 CMOS process flow
  • 7 DRAM cell
  • 8 DRAM frontend process flow
  • 9 DRAM backend process flow
  • 10 DRAM 3D cell/Test
  • 11 DRAM Package/component
  • 12 DRAM core/Sense Amp.
  • 13 DRAM refresh & timing
  • 14 DRAM history & DDR
  • 15 6F2 and BL structure
  • 16 LPDDR/GDDR/HBM
연계과정

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