[반도체실무과정] 8대공정 : 불순물 주입 및 확산 공정

과정 정보
교육기간 1개월 차시 17H - 입문
교강사 정원 3,000명
교육비 50,490원 진도율 80%이상
환급비 우선지원기업 : 50,490원
대     기     업 : 0원
1000명 이상 : 0원
수료기준 중간평가 30% 시험 70% (가중평균 60점이상)
강좌소개
반도체 8대공정 중 불순물 주입 및 확산 공정에 대해 설명할 수 있다.
학습대상자
반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
강좌목표
반도체 8대공정 중 불순물 주입 및 확산 공정에 대해 설명할 수 있다.
교강사 소개
이혁
- 한국과학기술원 기계공학과( 박사졸업 ) 총 경력 : 4년 6개월
- 하나마이크론㈜ ( 4 년 5 개월 )
송복남
- 서울대학교 전자공학( 석사졸업 ) 총 경력 : 17년 10개월
- 에스케이하이닉스 주식회사 ( 9 년 8 개월 )
- (주)윙코 ( 8 년 1 개월 )
엄중섭

총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
내용전문가 소개
엄중섭
총 경력 : 27년 2개월
- 삼성전자주식회사 ( 27 년 1 개월 )
학습목차
  • 1 CMOS 소개와 Implant 용어 정리
  • 2 이온 주입의 개요
  • 3 이온 주입에 의한 농도분포
  • 4 Ion Implant Channeling
  • 5 결함의 발생과 Annealing (1)
  • 6 결함의 발생과 Annealing (2)
  • 7 집적회로에의 응용
  • 8 Process Evaluation & Technology Trend
  • 9 Diffusion의 개요
  • 10 산화공정 개요
  • 11 Si/SiO₂ 계면과 산화막의 용도
  • 12 산화 속도의 영향 요소와 SiO₂/Si 계면 전하
  • 13 불순물의 재분포와 Oxide Quality 요구 조건
  • 14 확산의 정의
  • 15 ANNEAL
  • 16 확산 공정의 측정, 평가 및 불량 유형
연계과정

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